【用　途】     SDRAM存储器

【性能 参数】
  　　特征
　　
　　1.VDD，VDDQ=1.8V+/-0.1V
　　
　　2.所有输入和输出符合SSTL_18接口
　　
　　3.整个差分输入（CK，/CK）操作
　　
　　4.双工数据率接口
　　
　　5.源同步数据交易相一致的双向数据选通(DQS,/DQS)
　　
　　6.差分数据选通(DQS,/DQS)
　　
　　7.数据输出在DQS，/DQS边沿，当读时（DQ边沿）
　　
　　8.数据输入在DQS中心，当写时（DQ中心）
　　
　　10.DM掩码写入数据，在上升和下降沿的数据选通时
　　
　　11.所有的地址和控制输入除了数据，数据选通和在时钟的上升沿锁存数据掩盖
　　
　　12.支持可编程CAS延迟3，4，5和6
　　
　　13.支持可编程添加剂延迟0，1，2，3，4和5
　　
　　14.可编程的突发长度4/8蚕食顺序与交错模式
　　
　　15.内部四行操作单一RAS脉冲
　　
　　16.支持自动刷新
　　
　　17.支持tRAS锁存
　　
　　18.8K刷新周期/64ms
　　
　　19.JEDEC标准84ballFBGA（*16）：8mm*13mm
　　
　　20.充分的强度驱动选择控制通过EMRS
　　
　　21.死区终端支持
　　
　　22.支持部分阵列自刷新
　　
　　23.工作温度：-40℃到85℃

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