【用　途】     存储电路

【性能 参数】

特点  

1. VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V

2. 整个差分时钟输入（CK，/CK）操作

3. 差分数据选通（DQS，/DQS）

4. 对芯片的DLL联盟DQ, DQS and DQS转型为CK转型

5. DM掩码写入数据，在上升沿和下降沿的数据选通时

6. 在时钟上升沿时，所有地址和控制输入锁存除了数据，数据选通和数据掩码

7. 支持可编程CAS延迟6，7，8，9，10

8. 支持可编程添加剂延迟0，CL-1和CL-2

9. 可编程CAS写延迟（CWL）= 5，6，7

10. 可编程的突发长度4/8 蚕食顺序与交错模式

11. 在飞行中BL切换

13. 平均刷新周期（Tcaseof 0℃～95℃ ）

-7.8us当0℃～85℃

-3.9us当85℃～95℃

14. 支持刷新

15. JEDES标准78ball FBGA（*4/*8），96ball FBGA（*16）

16. 通过EMRS选择驱动强度

17. 支持动态死区终端

18. 支持同步RESET引脚

19. 支持TDQS（终端数据选通）（仅仅*8）

20. 支持写水平化

21. 8位预取

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