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【用 途】 SDRAM存储器
【性能 参数】
特征 1.VDD,VDDQ=1.8V+/-0.1V 2.所有输入和输出符合SSTL_18接口 3.整个差分输入(CK,/CK)操作 4.双工数据率接口 5.源同步数据交易相一致的双向数据选通(DQS,/DQS) 6.差分数据选通(DQS,/DQS) 7.数据输出在DQS,/DQS边沿,当读时(DQ边沿) 8.数据输入在DQS中心,当写时(DQ中心) 10.DM掩码写入数据,在上升和下降沿的数据选通时 11.所有的地址和控制输入除了数据,数据选通和在时钟的上升沿锁存数据掩盖 12.支持可编程CAS延迟3,4,5和6 13.支持可编程添加剂延迟0,1,2,3,4和5 14.可编程的突发长度4/8蚕食顺序与交错模式 15.内部四行操作单一RAS脉冲 16.支持自动刷新 17.支持tRAS锁存 18.8K刷新周期/64ms 19.JEDEC标准84ballFBGA(*16):8mm*13mm 20.充分的强度驱动选择控制通过EMRS 21.死区终端支持 22.支持部分阵列自刷新 23.工作温度:-40℃到85℃
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