当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时，空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eｇ有关： λ＝h c / Eｇ 

发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系：  P = ηEp I/ e本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管作为实验用光源。

硅光电池池输出拉接恒定负载时产出的光伏电压与输入光信号关系测定
         
将功能转换开关打到“负载”处，将硅光电池输出端连接恒定负载电阻（R分别取1KΩ和10KΩ）和数字电压表，调节发光二极管静态驱动电流，测定光电池输出电压随输入光强度的关系曲线。

硅光电池伏安特性测定
        
输入光强度不变时（驱动电流分别取5 mA和15mA），测定当负载在 0.5kΩ～9.5kΩ的范围内变化时，光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。