【用　途】     存储器

【性能 参数】

 　采用8引脚SOP与8接头VDFN和8引脚PDIP封装，全电压范围：2.7V-3.6V。

      特点：

      1.高性能：100MHz时钟率
　　
　　2.低功耗：5mA典型的积极电流，1uA典型的关闭电流
　　
　　3.统一的区域式样：256区域4K字节，16块64K字节，任何区域或块能够独立的被擦除
　　
　　4.软硬件写保护：经软件写保护所有或部分存储器，WP#引脚使能/禁止保护
　　
　　5.高性能可编程/擦写速度：页编程时间：典型的1.5ms，区域擦写时间：典型的150ms，块擦写时间：典型的800ms，芯片擦写时    间：典型的10s
　　
　　6.可锁存256字节OTP安全区域
　　
　　7.最小100K忍受周期

      引脚排列图：

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