【用 途】 MOSFET栅极驱动器
【性能 参数】
采用8引线SOIC封装,可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC;在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75V典型值,具有3A的吸收能力,以及快速上升/下降时间,支持高达1MHz的开关频率。
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