采用8引线SOIC封装，可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC；在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75V典型值，具有3A的吸收能力，以及快速上升／下降时间，支持高达1MHz的开关频率。