（a）截止区（又称阻断区）
iB＝0，开关处于断态
GTR承受高电压而仅有极小的漏电流存在
集电结反偏UBC<0，发射结反偏UBE<0 ；或集电结反偏UBC<0 ，发射结偏压为零UBE=0
（b）有源区（又称放大区或线性区）
iC与iB之间呈线性关系，特性曲线近似平直
UBC<0， UBE>0
对于工作于开关状态的GTR来说，应当尽量避免工作于有源区，否则功耗很大，要快速通过有源区，实现截止与饱和之间的状态转换。
（c）饱和区
开关处于通态，iB变化时，iC不再随之变化
导通电压和电流增益均很小
UBC>0， UBE>0
（d）准饱和区
指有源区与饱和区之间的一段区域，即特性曲线明显弯曲的部分
iC与iB之间不再呈线性关系，UBC<0， UBE>0
（e）失控区
当UCE 超过一定值时，晶体管进入失控区，会导致雪崩击穿。
UCEO：基极开路，对应的反向击穿电压；
UCEs ：基极和发射极短路所对应的电压；
UCEx : 基极负偏所对应的电压。
（2）动态特性             
开通过程
延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间tontd主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大IB1的幅值并增大diB/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程

GTR的开通和关断过程电流波形

关断过程
储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff
ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分
减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流IB2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度
减小导通时的饱和深度的负面作用是会使集电极和发射极
      间的饱和导通压降UCES增加，从而增大通态损耗
GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多
3. GTR的主要参数
       电流放大倍数 、直流电流增益hFE（一般可认为hFE ）、集射极间漏电流ICEO、集射极间饱和压降UCES、开通时间ton和关断时间toff  ;  之外有：
1）最高工作电压UCEM 
GTR上电压超过规定值时会发生击穿
击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关如图所示，有UCBO> UCEX> UCES> UCEO，实际使用时，为
       确保安全，最高工作电压要比UCEO低得多 
2） 集电极最大允许电流ICM
通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的IC实际使用时要留有裕量，只能用到ICM的一半或稍多一点
3） 集电极最大耗散功率PCM
最高工作温度下允许的耗散功率产品说明书中给PCM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度
4. GTR的二次击穿现象与安全工作区

一次击穿
集电极电压升高至击穿电压时，IC迅速增大，出现雪崩击穿
特点：在IC增大过程中，集电结电压基本不变，只要IC不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变；

二次击穿
一次击穿发生时IC增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随集电极电压的陡然下降，即出现了负阻效应，这种现象称为二次击穿。
二次击穿的持续时间很短，一般在纳秒至微秒范围，常常立即导致器件的永久损坏，必需避免。
安全工作区（Safe Operating Area——SOA）最高电压UCEM、集电极最大电流ICM、最大耗散功率PCM、
二次击穿临界线PSB
限定（GTR特有）
电力电子器件都有安全
     工作区，通常由最大工作电流、最大耗散功率、最高工作电压构成。实际应用时器件必须工作于安全工作区的范围内，以免损坏。