您现在的位置: 华玉生活网 >> 技术文库 >> 晶体管 >> 正文>> 繁体中文

双极型半导体三极管的特性曲线和参数

1 半导体三极管的特性曲线

       本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线,即

       输入特性曲线—— IB=f (UBE)½     

       输出特性曲线—— IC=f (UCE)½

        这里下标BECE中的E表示公共电极,B表示输入电极,C表示输出电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。

        IB是输入电流,UBE是输入电压,加在BE两电极之间。

        IC是输出电流,UCE是输出电压,从CE两电极取出。

        共发射极接法的供电电路和电压、电流关系如图2-2-1所示。

2-2-1 共发射极接法的电压电流关系

 

1 输入特性曲线

共发射极接法的输入特性曲线

 

 

2 输出特性曲线

共发射极接法的输出特性曲线

 

输出特性曲线可以分为三个区域

       饱和区——ICUCE显著控制的区域,该区域内UCE的数值较小,一般UCE0.7 V(硅管)。此时发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。

2-2-4  共发射极接法输出特性曲线

 

       截止区——IC接近零的区域,相当IB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。

       放大区——IC平行于UCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏,UBE电压大约在0.7 V左右(硅管)

2 半导体三极管的参数

        半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。直流参数一般用于三极管静止工作状态的计算;交流参数用于有信号加入时的动态工作状态的计算;极限参数是为了保证三极管可靠工作而设立的,超过极限参数三极管会损坏或其放大能力会明显下降。

.1 直流参数

三极管的直流参数包括

 

1直流电流放大系数

2极间反向电流

 

当温度上升时,ICBO会很快增加。ICBO增加,ICEO也随之增加,输出特性曲线会明显上移,这说明三极管的温度稳定性较差。越大,ICEO受温度的影响越大。由于工艺水平的提高,目前硅三极管的ICEO10纳安到几微安,锗三极管的ICEO在几微安到几毫安。

2 交流参数

三极管的交流参数包括

 

1. 交流电流放大系数

 

2.频率参数

 

频率参数反映三极管的放大能力与频率的关系,三极管的放大能力一般由电流放大系数来体现。当信号频率达到一定高度时,三极管的电流放大系数要下降,以此三极管可以分为低频管和高频管。三极管的频率参数主要有特征频率和截止频率几种。

 

 

3  极限参数

三极管的极限参数包括:

1.集电极最大允许电流ICM

2.集电极最大允许功率损耗PCM

3.反向击穿电压

 

 

3 半导体三极管的型号

国家标准对半导体三极管的命名如下

                   

        第一位:2代表二极管,3代表三极管。

        第二位:A为锗PNP管、B为锗NPN管、C为硅PNP管、D为硅NPN

第三位:X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频大功率管、K表示开关管。

 

 

 

 

 

 



  • 扩展阅读
  • 上一个文章:
  • 【返回网站首页】 【返回晶体管】
  • 下一个文章:
  • 【字体: 】【】【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文
    文章 软件 电影 商品

    相关文章

    网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)

    | 服务声明 | 充值中心| 华安五金电器 | 收费标准| 论坛| 留言| 实用查询| 会员中心| 下载帮助| 设为首页|

    技术支持:瑞达科技 即时交谈QQ:237013889 QQ群:13810759 E-Mail:237013889@qq.com
    非盈利网站,如有侵权,请来信来电告知,第一时间处理,谢谢!
    桂ICP备17008104号 华玉生活网网站统计
    tj