本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线,即
输入特性曲线—— IB=f (UBE)½
输出特性曲线—— IC=f (UCE)½
这里下标BE、CE中的E表示公共电极,B表示输入电极,C表示输出电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。
IB是输入电流,UBE是输入电压,加在B、E两电极之间。
IC是输出电流,UCE是输出电压,从C、E两电极取出。
共发射极接法的供电电路和电压、电流关系如图2-2-1所示。
图2-2-1 共发射极接法的电压电流关系
1 输入特性曲线
共发射极接法的输入特性曲线
2 输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线
输出特性曲线可以分为三个区域
饱和区——IC受UCE显著控制的区域,该区域内UCE的数值较小,一般UCE<0.7 V(硅管)。此时发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
图2-2-4 共发射极接法输出特性曲线
截止区——IC接近零的区域,相当IB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。
放大区——IC平行于UCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏,UBE电压大约在0.7 V左右(硅管)。
半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。直流参数一般用于三极管静止工作状态的计算;交流参数用于有信号加入时的动态工作状态的计算;极限参数是为了保证三极管可靠工作而设立的,超过极限参数三极管会损坏或其放大能力会明显下降。
.1 直流参数
三极管的直流参数包括
1.直流电流放大系数
2.极间反向电流
当温度上升时,ICBO会很快增加。ICBO增加,ICEO也随之增加,输出特性曲线会明显上移,这说明三极管的温度稳定性较差。越大,ICEO受温度的影响越大。由于工艺水平的提高,目前硅三极管的ICEO在10纳安到几微安,锗三极管的ICEO在几微安到几毫安。
2 交流参数
三极管的交流参数包括
1. 交流电流放大系数
2.频率参数
频率参数反映三极管的放大能力与频率的关系,三极管的放大能力一般由电流放大系数来体现。当信号频率达到一定高度时,三极管的电流放大系数要下降,以此三极管可以分为低频管和高频管。三极管的频率参数主要有特征频率和截止频率几种。
3 极限参数
三极管的极限参数包括:
1.集电极最大允许电流ICM
2.集电极最大允许功率损耗PCM
3.反向击穿电压
国家标准对半导体三极管的命名如下
第一位:2代表二极管,3代表三极管。
第二位:A为锗PNP管、B为锗NPN管、C为硅PNP管、D为硅NPN管
第三位:X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频大功率管、K表示开关管。