【用 途】 过坟保护电路
【性能 参数】
采用WLP封装,内部集成了54m?(典型值)低导通电阻(RON)FET,能够在3A连续电流条件下为低压系统提供高达+36V的电压保护,反向偏置电路允许设备同时连接两路电源。内部两个背靠背FET避免输出电压向输入端反向供电。反向偏置电路替代多个大体积外部分立元件,为终端设备提供可靠保护。
引脚排列图:
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