输入特性曲线类似于PN结的伏安特性曲线，现讨论I_B和U_BE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线有些不同。为了排除U_CE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使U_CE=const(常数)。

共发射极接法的输入特性曲线见图2-2-2，基本上与二极管的正向特性曲线相同。对硅三极管而言，当U_CE≥1V时，U_CB= U_CE -U_BE＞0，集电结已进入反偏状态，开始明显收集电子，且基区复合减少，电子基本上被集电结所收集。若U_CE再增加，集电结反偏再增加，只要U_BE不变，从发射区向基区的扩散就不变，基区的复合基本固定，I_B也就基本不变。就是说U_CE＞1V以后的输入特性曲线基本上是重合的，在图2-2-2的输入特性曲线上只画了一条，只是标注U_CE≥1V，就不仔细区分了。

集电极电压U_CE对基极电流的影响可以用图2-2-3加以说明。三极管在放大状态，发射结正偏，电阻较小，集电结反偏，电阻很大。所以，除了从基极到集电极的正向传输信号外，输出信号也可以经过集电结向输入侧的发射结传输，从而输出信号U_CE会影响发射结的电位，从而影响基极电流。因集电结的电阻远大于发射结的电阻，所以U_CE只是“漏”到发射结上一点点，这种影响很小，在多数情况下，分析三极管电路时可以忽略这个影响。

       输入特性曲线可以分为三个区域，1区没有电流，或电流十分小，小于规定的数值，是死区。在2区，当发射结电压大到一定数值时，基极电流开始明显增加，但基极电流和发射结电压之间的非线性关系比较显著，2区称为非线性区。当基极电流开始明显增加时，所对应的发射结电压称为开启电压U_thon。3区称为线性区，基极电流与发射结电压之间有较好的线性关系。严格讲，从数学的观点看并不是线性关系，但从工程的角度看，在一定的近似条件下，是线性的，这种看问题的方法在电子电路中经常要用到。

图2-2-2  共发射极接法输入特性曲线                    图2-2-3  U_CE对U_BE的影响