【用 途】 铁电存储器
【性能 参数】
采用8脚双列直插封装。铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。铁电存储器和E2PROM比较起来,主要有以下优点:
(1)FRAM可以以总线速度写入数据,而且在写入后不需要任何延时等待,而E2PROM在写入后一般要5~10ms的等待数据写入时间;(2)FRAM有近乎无限次写入寿命。一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写人时,而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。
(3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM2500倍的能量去写入每个字节。
由于FRAM有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在于系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。从FRAM问世以来,凭借其各种优点,已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。
在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。
封装引脚图:
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