【用 途】 存储器
【性能 参数】
IDT72V3660属于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存储器IDT72V3640~3690中的一种,其存储结构为16,384×36。这一系列CMOS工艺的FIFO(先入先出)芯片具有极大的深度。
基本功能特点:
对读/写口都可进行灵活的总线宽度设置,可选择不同的输入/输出数据线宽度(可在36 in 36 out;36 in 18 out;36in 9 out;18 in 36 out;9in 36 out中选择);
重传操作延时很低且固定;
首字的写入到读出的延时很低且固定;
数据密度高达1Mbit;
操作时钟可达166MHz;
可选大/小字节排列格式;
主复位方式可提供FIFO整体清零,部分复位只清掉存储数据,但保留可编程设置项;
几乎空/满标志置位或无效操作可选择同步或异步时间模式;
具有两种时间工作模式,分别为IDT标准模式(采用和标志位)和FWFT首字直传模式(采用标志位);
读写操作采用独立时钟,并可异步操作;
采用TQFP(128引脚)和PBGA(144引脚)两种封装形式,其中PBGA封装形式不仅可用JTAG口提供边界扫描功能,还可选择同步或者异步读写操作(只对PBGA封装);
与5V输入兼容;
具有节电模式;
管脚可与更高密度的芯片IDT72V36100和IDT72V36110兼容。
封装引脚图:
相关IC下载
LC864512—5C77/N801 LA7687A(N201) LA4285(N
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AD9883APDF格式参考资料。
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LA4225、LA4285、LA4287、LA7680、LA7688A、LA7
LC863320A、LC864912A、LC864916A、等PDF格式参
M51393AP参考资料