当外加正向偏置电压0＜U＜Vth时，正向电流为零；当U＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Vth＝0.5V左右；锗二极管的死区电压Vth＝0.2 V左右。导通后的二极管有一个最大可连续工作电流上限IF，正常工作二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

当外加反向偏置电压时VBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向漏电流IS。反向电流与温度有着密切的关系，硅二极管比锗二极管在高温下具有更好的稳定性。当U≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。

二极管反向击穿分为：电击穿和热击穿。反向击穿并不一定意味着器件完全损坏。如果是电击穿，则外电场撤消后器件能够恢复正常；如果是热击穿，则意味着器件损坏，不能再次使用。实际中的电击穿往往伴随着热击穿。为了保证二极管使用安全，规定了最高反向工作电压VBRM。

二极管的特性：正向导通，反向截至，单向导电性。普通二极管导通的条件：正极电压大于负极电压一定值（开启电压）锗管是0.3V，硅管是0.7V；稳压二极管是负极大于正极电压一定值才导通的（稳压值）