三极管VT1饱和道通：三极管基极通过R1接到电源VCC，当R1足够小时，be结电流足够大，三极管饱和道通，ce结直接短路集电极和发射极都为接地的0V。此时三极管基极高电位，集电极低电位。

三极管VT2截止状态：三极管的基极通过R3接地，三极管be结没有电压，三极管截止，此时三极管基极低电位，集电极高电位。
总结： 饱和道通和截止状态下，基极高电位，集电极低电位；基极低电位，集电极高电位。

在电路中VT3基极输入高电平t1时，三极管VT3饱和导通，+VCC通过VT3的集电极--发射极--R2到地，发射极电压=集电极电压=VCC电压，发射极高电位。
当输入t2低电平信号时，三极管VT1截止不导通，电路中没有电流，三极管发射极通过R2接地，发射极低电位。
总结：三极管在饱和道通和截止状态下，基极输入高电平时，发射极高电平；基极输入低电平是，发射极低电平。

三极管放大电路中，三极管的输出电流Ic或者Ie是由直流电源提供的，基极电流Ib一部分是由直流电源提供（偏置电压），一部分是信号源电路提供。

从三极管放大原理可以知道，ib电流增大，ic和ie电流都增大，图中，当输入信号电压增大时候，ib电流增大，引起ic电流增大，流过R2的的电流也增大，根据欧姆定律，U=I*R，R2两端的电压降也增大；再根据串联分压原理，VCC减去R2两端电压就是集电极C到地的电压。
ib电流增大时，ie电流也增大，流过R3的电流也增大，根据欧姆定律，U=I*R，R3两端电压降增大，发射极e的电压也增大。

放大状态下：三极管基极输入高电压时，集电极输出电压变低，发射极输出电压变高。
                  三极管基极输入低电压时，集电极输出电压变高，发射极输出电压变低。

结论：三极管基极电位和集电极电位相反，基极和发射极电位的相位关系相同