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作者:佚名 文章来源:不详 点击数 更新时间:2014/4/6 文章录入:瑞达 责任编辑:瑞达科技 | |
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【性能 参数】 采用专有Optoplanar共面封装技术,具有高抗扰度。FOD8318是飞兆全面的高性能光耦合器、电源管理IC、高电压栅极驱动器、分立功率IGBT/MOSFET产品组合的一部分,通过此类解决方案,客户能够实施设计创新。FOD8318Optoplanar技术确保了0.4毫米以上的安全隔离厚度、8毫米爬电和间隙距离,从而获得了通过UL1577和DINEN/IEC60747-5-5标准认证的可靠高压隔离。 FOD8318它包含采用低RDS(ON)CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器,以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。它提供有源米勒箝位功能,可在高dv/dt状态期间关断IGBT,而无需负电源电压。这样可以简化设计,提高可靠性。此外,FOD8318还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能,这些状态会导致IGBT的破坏性热失控。 主要功能: 有源米勒箝位功能可消除负电源电压 内置IGBT保护功能 去饱和检测 IGBT软断开 针对IGBT进行优化的欠压闭锁(UVLO) CMR专有的高抗噪性能:35kV/μsec@Vcm-1500Vpeak 3.3V/5V,CMOS/TTL逻辑输入 轨至轨宽幅输出电压范围,以实现低功耗 安全和法规认证 UL1577,4,243VRMS持续1分钟。 DIN-EN/IEC60747-5-5,1,414V峰值工作电压,8,000V峰值瞬态额定隔离 封装引脚图: |
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