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采用SOIC8封装，10V至20V之间的栅极驱动，采用了专有的高压集成电路 (HVIC) 和锁存CMOS技术，具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可以达到600V，具有欠压闭锁功。输出信号与输入信号反相，CMOS 施密特触发器输入端采用上拉电阻。
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| AUIRS2118S来源于瑞达科技网 | |
| 作者：佚名 文章来源：不详 点击数 更新时间：2012/7/7 文章录入：瑞达 责任编辑：瑞达科技 | |
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【性能 参数】 采用SOIC8封装，10V至20V之间的栅极驱动，采用了专有的高压集成电路 (HVIC) 和锁存CMOS技术，具有坚固耐用的单片构造和基准负电压尖峰免疫力。浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可以达到600V，具有欠压闭锁功。输出信号与输入信号反相，CMOS 施密特触发器输入端采用上拉电阻。 引脚排列图：
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