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TPA2034D1来源于瑞达科技网 | |
作者:佚名 文章来源:不详 点击数 更新时间:2012/7/7 文章录入:瑞达 责任编辑:瑞达科技 | |
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【性能 参数】 采用约1.5毫米×1.5毫米晶圆芯片级封装(WCSP)封装。 特点: 最大限度延长电池寿命,并减少热量 0.5μ关断电流 3.0 mA的静态电流 高效率D类 88%为400mW 8 在100mW的80%,在8 三个固定增益版本 TPA2032D1具有2V / V(6分贝)增益 TPA2033D1 3 V / V的增益(9.5分贝) TPA2034D1 4 V / V的增益(12分贝) 只有一个需要的外部元件 内部匹配的输入增益和反馈电阻优秀PSRR及CMRR 优化PWM输出级,无需LC输出滤波器 PSRR(-75分贝)和宽电源电压(2.5 V至5.5 V)消除需要一个专用稳压器 全差分式设计降低了射频整流,无需旁路电容 共模抑制比(CMRR)(-69分贝)消除了两个输入耦合电容 热和短路保护 引出线非常类似TPA2010D1 晶圆级芯片封装(WCSP) NanoFree无铅(无铅:YZF) 封装引脚图: |
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