采用约1.5毫米×1.5毫米晶圆芯片级封装（WCSP）封装。

　　特点：

　　最大限度延长电池寿命，并减少热量

　　0.5μ关断电流

　　3.0 mA的静态电流

　　高效率D类

　　88％为400mW 8

　　在100mW的80％，在8

　　三个固定增益版本

　　TPA2032D1具有2V / V（6分贝）增益

　　TPA2033D1 3 V / V的增益（9.5分贝）

　　TPA2034D1 4 V / V的增益（12分贝）

　　只有一个需要的外部元件

　　内部匹配的输入增益和反馈电阻优秀PSRR及CMRR

　　优化PWM输出级，无需LC输出滤波器

　　PSRR（-75分贝）和宽电源电压（2.5 V至5.5 V）消除需要一个专用稳压器

　　全差分式设计降低了射频整流，无需旁路电容

　　共模抑制比（CMRR）（-69分贝）消除了两个输入耦合电容

　　热和短路保护

　　引出线非常类似TPA2010D1

　　晶圆级芯片封装（WCSP）

　　NanoFree无铅（无铅：YZF）

      封装引脚图：