采用4x4-24 引脚的VFQFPN封装，PM6670是一款采用高性能的BCD5(第五代BiCMOS-DMOS)制造工艺设计的先进架构的半导体器件，能够满足DDR2-3内存的电源需求，同时，该器件还内置同步降压控制器、15mA的缓冲参考二极管和强流LDO线性稳压器，其中稳压器的源出和灌入峰流高达2A。

    PM6670的开关部分是一个高性能的伪固定频率，恒定导通时间控制器是为在宽输入电压范围内处理快速负载瞬变专门设计的。开关频率范围200kHz ~ 500kHz，根据不同应用需求，可以处理不同的工作模式，最大限度降低噪声或功耗：强制PWM模式实现伪固定开关频率；脉冲跳跃模式通过跳过某些开关周期在轻负载条件下实现高能效；静噪跳跃模式将开关频率限制在人耳听音范围外。

    PM6670开关控制器采用一个谷值电流检测算法，能够恰当地处理限流保护和电感电流零交越信息。这个无功耗的电流检测方法是在下桥臂MOSFET导通期间检测电流。 VTTREF部分的输出电压是VDDQ电压值的二分之一，电压调整精度1%。这个稳压器的源出和灌入电流最高为±15mA。在全部工作条件下，线性稳压器的输出电压(VTT)等于内存的参考电压VTTREF。为降低总体功耗，LDO的输入电压可以是VDDQ或更低的电压轨。与输出端的多层陶瓷电容(MLCC)配合，线性稳压器的输出电压十分稳定。PM6670的三个主要功能(输出波纹补偿、静噪跳跃模式和输出放电选项)。

    封装引脚图：