摘要:首先分析了低压差稳压器(LDO)、准低压差稳压器(QLDO)和超低压差稳压器(VLDO)的设计原理,然后对几种线性稳压器的性能作了比较,最后通过低压差稳压器的测试数据来证明其优良特性。 关键词:低压差稳压器;超低压差稳压器;电压控制;测试 O 引言 进入2l世纪以来,采用电池供电的便携式产品(例如手机、MP3播放器),其主电源电压不断降低,而传统的线性集成稳压器(例如7800系列三端稳压器)及开关稳压器无法在低电压下正常工作。为解决了上述技术难题,近年来低压差稳压器(LD0,Low Dropout Regulator)、准低压差稳压器(QLDO,Quasi Low Dropout Regulator)和超低压差稳压器(VLD0,Very Low Dropout Regulator)竞相问世,并在低压供电领域获得推广应用。
1 LD0、QLDO的设计原理 下面首先介绍普通串联调整式线性集成稳压器的基本原理,然后分别阐述低压差稳压器、准低压差集成稳压器的基本原理,从中比较它们的显著特点。 1.1 普通线性集成稳压器的设计原理 普通线性集成稳压器亦称NPN型稳压器,其原理如图1所示。典型产品有7800系列三端固定式线性集成稳压器和LM317系列三端可调式线性集成稳压器。它们都属丁NPN型稳压器,即串联调整管是由NPN型晶体管VT2、VT3构成的达林顿管。VT1为驱动管,它采用PNP型晶体管。U1为输入电压,U0为输出电压。R1和R2为取样电阻,取样电压U0加到误差放大器的同相输入端,UQ与加在反相输入端的基准电压UREF相比较,二者的差值经误差放大器放大后产生误差电压Ur,用来调节串联调整管的压降,使输出电压达到稳定。举例说明,当输出电压U0降低时,UQ和Ur均降低,因驱动电流增大,故调整管的压降减小,使输出电压升高,最终使U0维持稳定。由于反馈环路总是试图使误差放大器两个输入端的电位相等,即UQ=UREF,因此
普通集成稳压器的主要缺点是输入-输出压差高。为了维持稳压器的正常工作,要求最低输入-输出压差(U1-U0)不得低于2 V,一般取4 V以上为宜。这是造成调整管功耗大的主要原因。由图l可见,输入-输出压差的计算公式为
式中:UBE为VT2、VT3的发射结电压(这里假定二者相等),冈此总发射结电压为2UBE; UCES为PNP型晶体管BTl的集电极-发射极饱和压降。 1.2 LD0的设计原理 LD0的设计原理如图2所示。LDO与普通线性集成稳压器的主要区别是采用PNP型功率管作调整管,并且不需要驱动管。其输入-输出压差的计算公式为 由于公式中不含2UBE这一项,因此可大大降低输入-输出压差。满载时输入-输出压差的典型值小于500mV,轻载时仅为10~50mV。这是其显著特点。 但低压差线性稳压器有其不足之处,即所需的基极驱动电流及静态工作电流Id较大。满载时若PNP管的β值为15~20倍,则LDO的Id≈(5%~7%)Io。由它产生的功耗会限制稳压器效率的进一步提高,这在电池供电的低功耗系统中是不容忽视的问题。 1.3 QLDO的设计原理 准低压差集成稳压器(QLDO)是因输入-输出压差介于NPN稳压器和LDO稳压器二者之间而得名的。其设计原理如图3所示。QLDO的内部调整管VT2也采用NPN型功率管,但增加了一级PNP型驱动管VT1,因此它兼有普通集成稳压器驱动电流小、低压差集成稳压器输入-输出压差低的优点。其输入-输出压差的计算公式为 式中包含UBE这一项,意味着QLDO的输入-输出压差介于NPN稳压器和LDO之间。QLDO具有较好的性能指标:例如LMl085能输出3A的电流,而静态工作电流仅为10mA。QLDO也需要接输出电容,但其容量可比LDO用得小,对电容的等效串联电阻(ESR)要求较低。 2 VLDO的设计原理 VLDO的设计原理如图4所示,典型产品为Analogic TECH公司的AAT3200。VLD0的最大特点是采用P沟道功率场效应管MOSFET来代替PNP型功率管作为调整管,MOSFET本身还带保护二极管(VD)。P沟道MOSFET属于电压控制型器件,其栅极驱动电流板小,而通态电阻非常低,通态压降远低于双极性晶体管的饱和压降,这不仅能大大降低输入-输出压差,还能在微封装下输出更大的电流。图4中还给出了内部过电流及过热保护电路,RS为电流检测电阻。 一种改进型VLDO的设计原理如图5所示。其主要特点是增加了输出状态自检(POK)、延迟供电、电源关断等功能。POK(Power OK)是表示“电源正常”的信号。一旦输出电压降低到使采样电压低于9l%UREF时,比较器就输出高电平,经过l ms的延迟时间强迫POK MOSFET导通,从POK端输出低电平(表示电源电压过低),送至微处理器。当输出电压恢复正F常叫,比较器输出低电平,令POK MOSFET截止,POK端输出为高电平,以此表示电源正常。POK MOSFET采用开漏极输出结构,外部需经过lO kΩ~l MΩ的上拉电阻接U0端。不用POK端时可接地或悬空。EN为使能控制端,当EN端接低电半时将电源关断。LDO进入休眠状态,此时POK端呈高阻态。利用延迟电路能避免因干扰而造成的误动作。 3 几种线性稳压器的性能比较 几种线性稳压器的性能比较见表l。 4 LDO的性能测试 为了说明低压差稳压器的优良特性,现将LM2930与普通三端稳压器7805作一对比性试验,二者的标称稳压值均为5v。稳压器的输入电压取自HT-1714C型多路直流稳压电源。稳压器的输出端接上假负载R1,使输出电流I0=100mA。输出电压U0用DT860型数字万用表测量。测量数据以及汁算出的压差值(U1-U0)、稳压电源的效率(η)一并列入表2及表3中。由表2及表3可见,当U1>5.20V时,LM2930即可正常稳压,稳压值U0=5.16v;当u1=5.20V时的压差仅为0.04 V,U1=5.50V时为0.34V,均低于O 6V。7805则不然,其压差必须大于2V(实际使用时应在4V以上),才能正常稳压,稳压值U0=4.98V。 5 结语 不难看出,选择低压差稳压器能显著提高线性集成稳压电源的效率。
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