功率场效应管的原理、特点及参数

功率场效应管又叫功率场控晶体管。

一．功率场效应管原理：
半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。
实际上，功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。
它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下：

 N沟道                        P沟道
图1-3：MOSFET的图形符号
MOS器件的电极分别为栅极G、漏极D、源极S。
和普通MOS管一样，它也有：
耗尽型：栅极电压为零时，即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。
增强型：需要正偏置栅极电压，才生成导电沟道。达到饱和前，VGS正偏越大，IDS越大。
一般使用的功率MOSFET多数是N沟道增强型。而且不同于一般小功率MOS管的横向导电结构，使用了垂直导电结构，从而提高了耐压、电流能力，因此又叫VMOSFET。

二．功率场效应管的特点：
这种器件的特点是输入绝缘电阻大（1万兆欧以上），栅极电流基本为零。
驱动功率小，速度高，安全工作区宽。但高压时，导通电阻与电压的平方成正比，因而提高耐压和降低高压阻抗困难。
适合低压100V以下，是比较理想的器件。
目前的研制水平在1000V/65A左右（参考）。
其速度可以达到几百KHz，使用谐振技术可以达到兆级。

三．功率场效应管的参数与器件特性：
无载流子注入，速度取决于器件的电容充放电时间，与工作温度关系不大，故热稳定性好。
（1） 转移特性：
    ID随UGS变化的曲线，成为转移特性。从下图可以看到，随着UGS的上升，跨导将越来越高。

图1-4：MOSFET的转移特性
（2） 输出特性（漏极特性）：
输出特性反应了漏极电流随VDS变化的规律。
    这个特性和VGS又有关联。下图反映了这种规律。
    图中，爬坡段是非饱和区，水平段为饱和区，靠近横轴附近为截止区，这点和GTR有区别。

图1-5：MOSFET的输出特性
    VGS=0时的饱和电流称为饱和漏电流IDSS。
（3）通态电阻Ron：
通态电阻是器件的一个重要参数，决定了电路输出电压幅度和损耗。
  该参数随温度上升线性增加。而且VGS增加，通态电阻减小。
（4）跨导：