打印本文 打印本文  关闭窗口 关闭窗口  
中国半导体分立器件型号的命名方法来源于瑞达科技网
作者:佚名  文章来源:网络  点击数  更新时间:2011/1/18   文章录入:瑞达  责任编辑:瑞达科技

中国半导体分立器件型号的命名方法

中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:
第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81的 3
第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81的 A
第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81的 X
第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81的 81
第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81的 -81
但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN型二极管(P区和N区之间夹一层本征半导体或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应和I层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B是表示:B规格2号场效应管.
 
中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义
用数字表示器件的有效电极数目
用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性
用汉语拼音字母表示器件的类型
用阿拉伯数字表示器件的序号
用汉语拼音字母表示规格
2
二极管
A
N型,锗材料 P 普通管 D 低频大功率管
B P型,锗材料 V 微波管 A 高频大功率管
C N型,硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管
D P型,硅材料 C 参量管 Y 体效应器件
3
三极管
A
PNP型,锗材料 Z 整流管 B 雪崩管
B NPN型,锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管
C PNP型,硅材料 S 隧道管 CS 场效应管
D NPN型,硅材料 N 阻尼管 BT 半导体特殊器件
U 光电器件 FH 复合管
E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN型管
X 低频小功率管
JG 激光器件
G 高频小功率管

打印本文 打印本文  关闭窗口 关闭窗口