并联型晶体振荡电路

1）C—B型（亦称皮尔斯）晶体振荡器 如图5.3-10所示，图A中的L和CB分别为高频扼流圈和高频旁路电容，忽略偏置电阻的影响，可得高频等效电路见图5.3-10B。电路中把石英谐振置于C、B之间代替三点式振荡电路的一个电感构成电容三点式振荡电路。其工作原理和特点与电容三点式振荡电路完全相同并兼有频率稳定度高的特点。

2)B—E型（亦称密勒）晶体振荡器 如图3.11所示，该电路是将石英谐振器置于B、E之间。L1C1是集电极回路元件。C0为高频旁路电容。由于B、E之间接入等效为电感元件的晶体，根据三点式振荡电路相位平衡条件判断准则，集电极回路L1C1也必须等效为感性。所以这种电路常用可变电容作为集电极回路调谐电容，以便将该回路的固有谐振频率F1调到略高于振荡电路的工作频率FO，即F1﹥FO。图中集电极采用调谐回路代替电感元件的原因是为更好地抑制谐波提高波形纯度。

图5.3-12为并联型晶体振荡器的实用电路。

图5.3-12A、B所示电路中的微调电容C3C可把频率调准在标称频率上。

图5.3-12C是场效应管MILLER晶体振荡电路。该电路是将晶体置于G、8之间，其工作原理与图5.3-11所示电路基本相同，只是在这电路中用漏栅之间的结电容C1L1用电感调谐。由于场效应管栅源之间的阻抗较大，它并不象晶体管那样严重地影响谐振器的标准性和振荡频率的稳定性。

利用CMOS门设计晶体振荡器

正弦波振荡器基础