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半导体三极管 的 极限参数来源于瑞达科技网 | |
作者:佚名 文章来源:网络 点击数 更新时间:2011/1/8 文章录入:瑞达 责任编辑:瑞达科技 | |
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1.集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时,b就要下降,当b值下降到线性放大区b值的70~30%时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于b值下降多少,不同型号的三极管,不同的厂家的规定有所差别。可见,当IC>ICM时,并不表示三极管一定会过流而损坏。
图2-2-8 三极管的功耗曲线
2.集电极最大允许功率损耗PCM 图2-2-8 三极管的功耗曲线
集电极电流通过集电结时所产生的功耗,PCM= ICUCB≈ICUCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。三极管的功耗可以在输出特性曲线上用功耗曲线表示,见图2-2-8。
3.反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管两个电极间承受反向电压的能力,第三个电极可以是开路、短路等不同的状态,其测试时的原理电路如图2-2-9所示。 (a) U(BR)CBO测试电路 (b) U(BR)CEO测试电路 图2-2-9 三极管击穿电压的测试电路
U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意,是Breakdown的字头,C、B代表集电极和基极,O代表第三个电极E开路。 U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 三极管在使用时均不允许超过击穿电压值,并留有余量,这两个击穿电压有如下关系: U(BR)CBO>U(BR)CEO
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